高低(di)溫低(di)氣(qi)壓試(shi)驗箱是測試(shi)低(di)氣(qi)壓試(shi)驗的(de)主要(yao)設備，它可以在高溫和低(di)溫和低(di)壓的(de)單一或同時作(zuo)用(yong)下執行存儲和運輸可靠(kao)性測試(shi)，并且可以同時測試(shi)試(shi)件的(de)電氣(qi)性能參(can)數。

而電子元器件使用高低溫低氣壓試驗箱做試驗的目的及參考試驗標準如下：

一、測(ce)試目的(de)：通用低壓測(ce)試有三種測(ce)試目的(de)：

1）確定產(chan)品在常(chang)溫下(xia)是否能承(cheng)受低壓(ya)(ya)環(huan)境，并(bing)在低壓(ya)(ya)環(huan)境下(xia)能正常(chang)工作。并(bing)且能夠(gou)承(cheng)受氣(qi)壓(ya)(ya)的快(kuai)速變(bian)化。

2）確定組件(jian)和材料(liao)在室溫下在低壓下承受(shou)電擊穿(chuan)的(de)能(neng)力，確定密封組件(jian)在不損壞的(de)情況下承受(shou)壓差(cha)的(de)能(neng)力，并(bing)確定低壓對組件(jian)工作特性的(de)影響。

3）確保當組件和材料的氣壓(ya)降低(di)時，由于(yu)空氣和其他絕緣材料的絕緣強度而降低(di)了(le)抗電擊穿能力

 二、參考試驗標準：

1） G J B 150．2A一2009《軍用裝備實驗室環(huan)境試(shi)驗方法第二部(bu)分低氣壓(ya)( 高度） 試(shi)驗》;

2） G J B 360B一2009《電(dian)子及電(dian)氣元(yuan)件試驗方法方法105低(di)氣壓試驗》( 等效美軍標(biao)M IL—STD一202F） ;

3） G J B 548B一(yi)2005《微電子器件試驗(yan)方法和程序方法1001低(di)氣壓( 高(gao)空(kong)作(zuo)業） 》標M IL—STD一(yi)883D）; 

4） G B2421—2008《電工電子產(chan)品基(ji)本環境試驗總則》;

5）G B／T 2423，21—2008《電工電子產品基(ji)本環境試驗(yan)(yan)規(gui)程試驗(yan)(yan)M 低氣壓試驗(yan)(yan)方法(fa)》；

6） G B／T 2423．25—2008《電(dian)工電(dian)子產品基本(ben)環境試驗(yan)規程(cheng)試驗(yan)Z／AM 低(di)溫／低(di)氣壓綜(zong)合(he)試驗(yan)方(fang)法;

7）G B／T 2423、26—2008《電工電子產品(pin)基本環境試(shi)驗規程試(shi)驗Z／BM 高(gao)溫／低氣壓綜合試(shi)驗方法》；

8） G B2423．27—2005《電工電子產品基本環(huan)境試(shi)驗規(gui)程試(shi)驗Z／AM D 高溫／低氣壓綜合試(shi)驗方法》；

9） G B／T 2424．15—2008《電(dian)工電(dian)子產品基本環境試驗(yan)規程》。

10） GB 11159-1989 低氣(qi)壓試驗箱技術條件 標(biao)準

三、試驗條件：

試驗壓(ya)力

GJB 548列(lie)出了總共(gong)A、 B、 C、 D、 E、 F、 G7在不同條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)(jian)(jian)下的(de)不同大(da)氣壓(ya)值(zhi)(zhi)，并且(qie)給定的(de)測試(shi)(shi)條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)(jian)(jian)具(ju)(ju)有一定的(de)規律性，隨(sui)(sui)著飛行高(gao)(gao)度從低(di)到(dao)高(gao)(gao)，壓(ya)力(li)價值(zhi)(zhi)從大(da)到(dao)小變(bian)化； GJB 360給出A、 B、 C、 D、 E、 F、 G、 H、 I、 J 10不同條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)(jian)(jian)下的(de)海拔(ba)壓(ya)力(li)值(zhi)(zhi)，以(yi)及所列(lie)的(de)海拔(ba)-氣壓(ya)計從A到(dao)E的(de)測試(shi)(shi)條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)(jian)(jian)具(ju)(ju)有一定的(de)規律性。隨(sui)(sui)著飛行高(gao)(gao)度從低(di)到(dao)高(gao)(gao)變(bian)化，氣壓(ya)值(zhi)(zhi)從大(da)到(dao)小變(bian)化，但是(shi)從測試(shi)(shi)條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)(jian)(jian)F到(dao)測試(shi)(shi)條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)(jian)(jian)J沒有規律性。與GJB 548中列(lie)出的(de)測試(shi)(shi)條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)(jian)(jian)相(xiang)比，GJB 360測試(shi)(shi)條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)(jian)(jian)從條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)(jian)(jian)H為(wei)測試(shi)(shi)條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)(jian)(jian)J，相(xiang)應的(de)氣壓(ya)和海拔(ba)條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)(jian)(jian)為(wei)：H：3000m 70kPa； J：18 000m，7、 6kPa； K：25 000m，2、 5 kPa。

2）測(ce)(ce)試時間(jian)GJB 360B-2009規定(ding)：如果沒有其他要求，可以(yi)從以(yi)下值中選擇(ze)低(di)壓下的測(ce)(ce)試樣(yang)品測(ce)(ce)試時間(jian)：5min、 30min、 1h、 2h、 4h和16h。

3）升降(jiang)壓率通(tong)常不超過10kPa/min三個、

四、問題與措施

1、問(wen)題

低(di)壓測(ce)試期間組件可能暴露(lu)的(de)缺(que)陷包括：絕緣（電離、放電和(he)介電損耗）和(he)結點熱缺(que)陷。

2、措(cuo)施

1在低壓條件下，很容(rong)易產生排放。有(you)必(bi)要加強(qiang)絕(jue)緣電極和表面的(de)絕(jue)緣。灌封過程是一種有(you)效(xiao)的(de)解決方(fang)案。

2）組件的熱設計必須充(chong)分(fen)考(kao)慮低(di)壓(ya)引起的溫(wen)度(du)上升。